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使用具有獨(dú)立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強(qiáng)

發(fā)布時(shí)間：2018-05-04 13:53:07     瀏覽：9193

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨(dú)立柵極偏置控制的并聯(lián)晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強(qiáng)。

GaN HEMT具有較高的輸出功率密度和較寬的帶寬效率。但是，GaN HEMT的線性典型地比GaAs器件的線性更差。本文提出了一種簡(jiǎn)單的方法來提高GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨(dú)立控制的柵極偏置電壓并聯(lián)的多個(gè)子單元，然后將功率合并為子單元輸出。原型放大器..

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