毫米波連接器組件和工具?是工作在毫米波段的連接器的總稱,包括內導體、外導體、介質支架、左連接器和右連接器。介質支架兩側對稱設置環形槽。介質支架由上介質支架和下介質支架組成,環槽相應地由上環槽和下環槽組成。
End Launch 毫米波連接器是SOUTHWEST的高性能端發射連接器,旨在為高頻信號位于頂層的單層和多層印刷電路板提供低VSWR,110 GHz的無模式寬帶響應。提供SMA(27 GHz),2.92 mm(K)(40 GHz),2.40 mm(50 GHz),1.85 mm(V),(67 GHz)和1.0 mm(W)(110 GHz)。
AM005WN-00-R?是AMCOM的一種分立GaN/SiC HEMT總柵極寬度為0.5mm。這是赤裸裸的死亡它可以工作到18千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為33.4 dBm。它可以用在低噪聲、高動態范圍接收器和大功率發射機。此部分符合RoHS。
AM012WN-00-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT閘門總寬度為1.25毫米。這是赤裸裸的死亡它的工作頻率可達15ghz。它可以提供典型的飽和功率為37.7 dBm。這部分是RoHS順從。
?AM025WN-00-R是AMCOM的一種分立GaN/SiC HEMT總柵極寬度為2.5毫米(兩個1.25毫米FET平行地)。這是一個裸模,可以操作到15千兆赫。它可以提供40.5的典型飽和功率數據庫管理系統。此部分符合RoHS。
?AM005WN-BI-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT總柵極寬度為0.5mm。在一個陶瓷里工作頻率高達12ghz的組件。BI系列使用特殊設計的陶瓷包裝,帶有彎曲(BI-G)或直線(BI)導線采用落地式安裝方式。法蘭在包裹的底部同時充當直流接地、射頻接地和熱通道。這部分是符合RoHS。
AM012WN-BI-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT閘門總寬度為1.25毫米。在一個陶瓷桶里可運行高達10千兆赫的軟件包。BI系列使用特殊設計的陶瓷包裝,帶有彎曲(BI-G)或直線(BI)導線采用落地式安裝方式。法蘭在包裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱通道。這部分是符合RoHS。
?AM025WN-BI-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT總柵極寬度為2.5毫米。在一個陶瓷里可在8千兆赫以下工作的組件。BI系列使用特殊設計的陶瓷彎曲包裝(BI-G)或直線(BI)導線采用落地式安裝方式。法蘭在包裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱通道。這部分是符合RoHS。
?AM100WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC裙邊此部分的總門寬為10毫米。AM100WN-CU-R專為大功率設計微波應用,工作頻率高達6GHz。系列是一個特別設計的陶瓷包裝直引線和法蘭采用嵌入式安裝方式。包裝底部的法蘭用于同時作為直流接地、射頻接地和熱接地路徑。此部分符合RoHS。
?AM13714530WM-SM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分在13.75到14.5ghz頻段工作。它有超過30分貝的增益和30分貝輸出功率。放大器被封裝在帶有射頻和直流連接。設備的安裝法蘭有助于實現良好的散熱效果通向接地散熱器的路徑。
AM324036WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有29分貝的增益和3.2至4.0GHz頻段36dBm輸出功率。該MMIC是一個陶瓷封裝,具有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。
?AM050WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC卷邊。此部分的總門寬為5mm。AM050WN-CU-R專為大功率設計微波應用,工作頻率高達6千兆赫系列是一個特別設計的陶瓷包裝直引線和法蘭采用嵌入式安裝方式。包裝底部的法蘭用于同時作為直流接地、射頻接地和熱接地路徑。此部分符合RoHS。
?AM284233MM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有34分貝的增益和在2.8到4.2GHz頻帶上輸出33dBm的功率。這個MMIC是一個陶瓷封裝,有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。
AM304031WM-EM-R?是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分貝的增益和31在2.6到4.8GHz頻帶上的dBm飽和輸出功率。這個MMIC是一個陶瓷封裝,射頻和直流都有在較低層次的封裝,以促進低成本的SMT組裝到PC板。
AM264240WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。這是兩個階段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。AM264240WM-EM-R在輸入和輸出端都與50歐姆完全匹配,覆蓋2.6歐姆至4.2GHz。
?AM254038WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。這是兩個階段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。它與50歐姆的輸入和輸出完全匹配,覆蓋2.4到4.4赫茲。該MMIC具有18dB的增益和38dBm的12V輸出功率射頻和直流引線位于封裝的較低層,以便于將低成本的SMT組裝到PC板上。
?AM244236WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分貝的增益和在2.4到4.2GHz頻帶上輸出36dBm的功率。這個MMIC是一個陶瓷封裝,有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。
?AM204437WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。該放大器具有30分貝的增益和在2.2到4.2GHz頻帶上輸出37dBm的功率。該MMIC采用陶瓷封裝,射頻和直流引線均位于較低層次的封裝便于低成本的SMT組裝到PC板上。
?AM184635WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有30dB增益和35dBmP1dB,在2.2到4.2GHz頻段。這個MMIC是一個陶瓷封裝,射頻和直流引線都在較低的水平便于低成本的SMT組裝到PC板上。
AM254540WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。這么高效率MMIC是一個2級GaAs-pHEMT功率放大器,偏置電壓為10~13V。輸入和級間匹配網絡覆蓋2.5到4.5GHz。這個MMIC需要輸出外部匹配到您感興趣的波段之間2.5GHz至4.5GHz提供最大帶寬靈活性。
AM183031WM-EM-R?是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有30.5分貝的增益和在1.6到3.3GHz頻帶上的31.5dBm輸出功率。該MMIC是一個陶瓷封裝,具有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。當直接安裝到印刷電路板,請參見應用說明AN700。由于高直流功耗,我們建議將這些設備直接安裝在金屬散熱器上。AM183031WM-EM是一個直引線的插入式封裝。AM183031WM-FM-R是安裝在鍍金銅法蘭托架上的AM183031WM-BM-R。有法蘭上有兩個螺孔,便于擰到金屬散熱器上。這個MMIC是符合RoHS的。
HMC413是ADI?的一種頻率范圍為1.6~2.2ghz的高效率異質結雙極晶體管MMIC功率放大器,AM183030WM-EM-R是amcom的GaAs-MMIC功率放大器。該放大器在1.6~3.3ghz頻段內,增益為30.5db,輸出功率為30.5dbm。為便于低成本SMT組裝到PC板上,本發明屬于一種低層封裝中射頻和直流引線的陶瓷封裝。
?HMC609LC4是ADI的單片低噪聲放大器,AM153540WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵單片功率放大器。放大器與50歐姆輸入和輸出完美匹配,覆蓋1.5至3.5赫茲。該單片集成電路在14V下具有21db的增益和38.5dbm的輸出功率,與封裝底部的水平面共面,為低成本的貼片組裝到PC板提供了基礎。
?? 無源,是指:無電磁波發射源,系統只能被動地接收目標的電磁波。有源:是指:有電磁波發射源,系統自己能主動、獨立發射電磁波,不需要中央發射機發射電磁波。即使部分收發組件壞了,其他組件也能有效發射電磁波。
HMC413是ADI的高效率GaAs InGaP異質結雙極性晶體管MMIC功率放大器,AM143438WM-EM-R功率放大器是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC,該MMIC是2級GaAs-pHEMT功率放大器,偏置電壓為10-14V,級間匹配網絡覆蓋1.4到3.4GHz,以供應最大的帶寬靈活性。例如,一個可用的評估板有逾越20分貝增益,38dBm飽和輸出功率逾越1.5至1.8GHz頻帶在12V。其他2.0到3.0ghz的評估板在12V時取得19dB增益和38dBm輸出功率。直流引線與作為接地的封裝底層共面,以便當低成本的表面貼裝組裝到PC板。
AM142540MM-EM-R放大器與HMC618A放大器的頻率和適用領域相差無幾,可以說是可代替性的兩款放大器,但是在價格上卻大不相同,AMCOM公司產品極具價格優勢,質量高效可靠,深圳市立維創展科技是AMCOM與ADI公司的代理經銷商,提供AMCOM與ADI的微波元器件和芯片,歡迎咨詢
Linear公司于2013年推出LTM4676串行數字接口多輸出調壓器。該穩壓器為雙輸出13A或單輸出26A的降壓型DC/DC微型模塊,便于系統設計人員和遠程操作人員對系統的電源和功耗進行控制和監控,加快產品上市進程和減少宕機時間。
?LTM4616IV#PBF型PBF開關穩壓器是一套完整的雙DC/DC調節系統。調節器的輸入電壓范圍在2.7V~5.5V之間,輸出個數為2,屬于雙8A輸出或單16A輸出,輸出電壓在0.6V~5V之間,輸出電壓跟蹤和裕度為直流輸出總誤差的±1.75%。它是一個非隔離的pol模塊
HMC789是ADI公司的高線性度增益模塊MMIC,該放大器的工作頻率范圍是810MHz至2.7GHz,是選用業界標準SOT89封裝。 僅運用極小數量的外部元件和+5V單電源作業,其高輸出IP3為+42 dBm。適用于蜂窩/4G、固定無線和WLAN、有線電視、電纜調制解調器和數字廣播衛星、微波無線電和檢驗設備和IF和RF應用
HMC374是ADI的通用寬頻帶低噪聲放大器(LNA),頻率用于0.3至3.0 GHz。 選用+2.75V至5.5V單正電源時,LNA提供15 dB增益,1.5 dB噪聲系數。該器件具有低噪聲系數、高P1dB (22 dBm)和高OIP3 (37 dBm),十分合適蜂窩應用。緊湊型LNA規劃選用針對可重復增益和噪聲系數功用的片內匹配。 為了使板面積最小,規劃選用低本錢SOT26封裝,占用面積僅為0.118” x 0.118”。HMC374適用于蜂窩/PCS/3G、WCS, MMDS 和ISM 、固定無線和WLAN和專用陸地挪動無線電等應用范疇,無需外部匹配