產(chǎn)品詳情介紹
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場(chǎng)效應(yīng)晶體管BI系列的一部分。HiFET是一種部分匹配的專利設(shè)備配置，用于高壓、大功率和寬帶應(yīng)用。這一部分的總器件外圍為2毫米（兩個(gè)1毫米的FET串聯(lián)）。AM010WH2-BI-R專為中功率微波應(yīng)用而設(shè)計(jì)，工作頻率可達(dá)12GHz。它也是更大功率設(shè)備的理想驅(qū)動(dòng)程序。BI系列采用特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝，采用嵌入式安裝方式，帶有彎曲（BI-G）或直（BI）導(dǎo)線。封裝底部的法蘭同時(shí)用作直流接地、射頻接地和熱通道。此部分符合RoHS。
特征
高達(dá)12GHz的高頻操作
高增益和高功率，P1dB=30dbm@3.5GHz
表面貼裝
有效散熱的底層
應(yīng)用
無(wú)線本地環(huán)路網(wǎng)絡(luò)
蜂窩無(wú)線電通信
WLAN、中繼器和超局域網(wǎng)
C波段VSAT
雷達(dá)