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所述CHV1203-FAB是低相位噪聲的S波段HBT壓控振蕩器積分負電阻器，變容二極管和緩沖放大器。在100kHz偏移下，它可提供108dBc / Hz的出色相位噪聲。

它設計用于從太空到商業通信系統的廣泛應用。

該電路完全集成在InGaP HBT工藝上：2μm的發射極長度，通過襯底和高Q無源元件的通孔。

它采用無鉛表面安裝密封金屬陶瓷6x6mm2封裝。它以符合RoHS的SMD封裝提供。