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CHA2092b99F是高增益寬帶三級單片低噪聲放大器。

芯片的背面是RF和DC接地。這有助于簡化組裝過程。自偏置技術在芯片上實現，以減輕電路偏置。

它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。

該電路采用pHEMT工藝制造，柵極長度為0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。

它以芯片形式提供。