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CGH09120F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力而設計，這使得CGH09120F成為MC-GSM、WCDMA和LTE放大器應用的理想選擇。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征

?UHF-2.5 GHz操作

?21 dB增益

?20W路面處-38 dBc ACLR

?20W鋪面時35%的效率

?可采用高度DPD校正