產(chǎn)品詳情介紹
AM025WN-00-R是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬度為2.5毫米（兩個1.25毫米FET并聯(lián)）。它是一個裸模，可操作高達15千兆赫。它可以提供40.5 dBm的典型飽和功率。此部分符合RoHS。
特征
高達15GHz的高頻操作
在2GHz時增益=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
應用
蜂窩無線基站
無線局域網(wǎng)、中繼器
C波段VSAT
雷達
測試儀器
軍事
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