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XF1001-SC高線性度的Hetrojunction場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFET） MACOM現(xiàn)貨

發(fā)布時(shí)間：2018-07-12 16:10:34 瀏覽：1682

封裝的HFET

XF1001-SC是一款高線性度的Hetrojunction場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFET），采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-89封裝。當(dāng)器件偏置在8V的漏極電壓和300m的漏極電流時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)最佳性能。在此偏置點(diǎn)，器件能夠提供超過(guò)30 dBm的P1dB和超過(guò)46 dBm的OIP3。XF1001-SC適用于高達(dá)6 GHz的應(yīng)用，其增益為10 dB。

品牌	型號(hào)	描述	貨期	庫(kù)存
MACOM	XF1001-SC	封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場(chǎng)效應(yīng)晶體管	現(xiàn)貨	256

特征

46.5 dBm OIP3 @ 5.8 GHz
SOT-89封裝
30.0 dBm P1dB
10.0 dB增益@ 6 GHz
@ 2 GHz時(shí)15.5 dB增益

應(yīng)用

航空航天與國(guó)防
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)和通信

產(chǎn)品規(guī)格

最小頻率：0 MHz
NF：4.5 dB
偏置電壓：8 V.
增益：15.5 dB
輸出P1dB：30 dBm
OIP3：46.5 dBm
偏置電流：300 mA
最大頻率：6,000 MHz

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