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?SemiGen肖特基二極管

發(fā)布時(shí)間：2023-05-29 17:00:04 瀏覽：949

SemiGen的硅肖特基二極管致力于40GHz以內(nèi)技術(shù)的應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。特殊處理技術(shù)通過各種金屬材質(zhì)方案為低、中和高阻隔技術(shù)應(yīng)用提供性能優(yōu)勢。最終結(jié)果是具有嚴(yán)格把控電容的低電阻二極管，能夠?qū)崿F(xiàn)最高效率。SemiGen肖特基二極管低交流損耗和優(yōu)異的TSS從而使二極管成為了工作頻段從S波段到Ka波段的探測器/混頻器技術(shù)應(yīng)用及其解調(diào)器、低功率限制器和高速度開關(guān)的最佳選擇。

特征：

多結(jié)處理芯片

低1/F噪音

小結(jié)電容

應(yīng)用：

適用于混頻器、探測器、倍頻器和解調(diào)器。

SemiGen是美國一家晶圓級(jí)射頻器件實(shí)力派制造商，從晶圓到封裝器件, 品類豐富，從航天級(jí)MIL-PRF 38534到軍用MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen致力于提供卓越的質(zhì)量和可靠性。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，授權(quán)代理于中國區(qū)域銷售SemiGen產(chǎn)品，并提供售前和售后技術(shù)支持服務(wù)。

詳情了解SemiGen請(qǐng)點(diǎn)擊：http://www.yzgnjsb.cn/brand/64.html

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SLB100	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB101	3.0	0.280	0.20	20.0	-52
SLB102	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB103	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB104	3.0	0.250	0.15	20.0	-55
SLB105	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB106	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB107	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB108	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB109	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB110	3.0	0.300	0.14	20.0	-50
SLB111	3.0	0.320	0.25	20.0	-48
SLB112	4.0	0.250	0.20	20.0	-55
SLB113	4.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB114	4.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB115	4.0	0.320	0.15	0.35	-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SMB200	3.0	0.400	0.14	20.0	-52
SMB201	3.0	0.400	0.20	20.0	-50
SMB202	3.0	0.400	0.12	20.0	-48
SMB203	3.0	0.400	0.14	20.0	-45
SMB204	4.0	0.425	0.15	20.0	-52
SMB205	4.0	0.425	0.15	20.0	-50
SMB206	4.0	0.425	0.12	20.0	-48
SMB207	4.0	0.425	0.14	20.0	-45
SMB208	4.0	0.450	0.14	20.0	-52
SMB209	4.0	0.450	0.15	20.0	-50
SMB210	5.0	0.450	0.14	20.0	-48
SMB211	5.0	0.450	0.25	20.0	-45
SMB212	5.0	0.475	0.21	20.0	-52
SMB213	5.0	0.475	0.15	20.0	-50
SMB214	5.0	0.475	0.12	20.0	-48
SMB215	5.0	0.475	0.15	20.0	-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SHB300	5.0	0.500	0.14	25.0	-52
SHB301	5.0	0.500	0.20	25.0	-50
SHB302	5.0	0.500	0.12	25.0	-48
SHB303	5.0	0.500	0.14	25.0	-45
SHB304	5.0	0.525	0.15	25	-52
SHB305	5.0	0.525	0.15	25.0	-50
SHB306	5.0	0.525	0.12	25.0	-48
SHB307	5.0	0.525	0.14	25.0	-45
SHB308	6.0	0.550	0.14	25.0	-52
SHB309	6.0	0.550	0.15	25.0	-50
SHB310	6.0	0.550	0.14	25.0	-48
SHB311	6.0	0.550	0.25	25.0	-45
SHB312	6.0	0.600	0.21	25.0	-48
SHB313	6.0	0.600	0.15	25.0	-45
SHB314	6.0	0.600	0.12	25.0	-42
SHB315	6.0	0.600	0.15	25.0	-40

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