亚洲精品午夜视频,亚洲国产人成中文幕一级二级,中文字幕亚洲第一

<s id="4maqk"></s><kbd id="4maqk"><dd id="4maqk"></dd></kbd>

?GTVA101K4 L波段功率放大器CREE

發布時間：2023-09-13 16:58:47 瀏覽：1184

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

特征

輸入適配

常見的脈沖連續波性能；960–1215MHz；50V；單層；128μs脈沖寬度；10%pwm占空比；P3dB=1400W時的輸出功率；工作效率=68%；增益值=17dB

無鉛并滿足RoHS標準

應用領域

雷達放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊：http://www.yzgnjsb.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
GTVA101K42EV-V1	GaN on SiC	0.96 GHz	1.4 GHz	1400 W	17 dB	68%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down
LTN/GTVA101K42EV-V1	GaN on SiC	0.96 GHz	1.4 GHz	1400 W	17 dB	68%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: ?CHA6652-98F高功率放大器UMS

最新自拍偷拍视频,在线播放精品一区二区啪视频,在线视频综合视频免费观看,亚洲狠狠色丁香婷婷综合,亚洲成人黄色网址,一区二区三区在线