?CGHV40180 L波段功率放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2023-12-29 17:14:35 瀏覽:725
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入,能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,CGHV40180具有更加優(yōu)異的性能;包括更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng);更高的飽和電子漂移速度與更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CGHV40180還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV40180選用2導(dǎo)線金屬/陶瓷法蘭盤(pán)和藥丸式封裝,能夠?qū)崿F(xiàn)最好電氣和熱穩(wěn)定性。
特征
輸入不適配
180W(CW)最低功率
250W典型功率
24dB典型小信號(hào)增益值
28V和50V使用
應(yīng)用領(lǐng)域
雷達(dá)探測(cè)
醫(yī)療保健
寬帶放大器
信息安全VHF-UHF
國(guó)防軍事通訊設(shè)備
產(chǎn)品規(guī)格
描述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子遷移率晶體管
最低頻率(MHz):0
最高頻率(MHz):2000
最高值輸出功率(W):200
增益值(分貝):24.0
效率(%):70
額定電壓(V):27
類型:封裝分立晶體管
封裝類別:法蘭盤(pán)、丸狀
技術(shù)應(yīng)用:GaN-on-SiC
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