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?CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE

發(fā)布時(shí)間：2024-02-26 17:16:48     瀏覽：594

CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較，GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含更高的擊穿場強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。CMPA1D1E025 選用 10 導(dǎo)線；25 mm x 9.9 mm；金屬/陶瓷法蘭盤封裝能夠?qū)崿F(xiàn)最理想的電氣設(shè)備和熱穩(wěn)定性。

CREE (15).png

特征

24 dB 小信號增益值

40 W 典型脈沖信號 PSAT

額定電壓高至 40 V

OQPSK 下 20 W 線性功率

A/B類高增益；高效率 50 Ω MMIC Ku 頻率段高功率放大器

應(yīng)用領(lǐng)域

軍工用和商用 Ku 波段雷達(dá)

產(chǎn)品規(guī)格

描述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器

最低頻率(MHz)：13500

最高頻率(MHz)：14500

最高值輸出功率(W)：25

增益值(dB)：26.0

工作效率（％）：16

額定電壓(V)：40

類型：封裝的MMIC

封裝類別：法蘭盤

技術(shù)：GaN-on-SiC

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)經(jīng)銷CREE微波器件，如若需要購CREE產(chǎn)品，請點(diǎn)擊右側(cè)客服聯(lián)系我們?。。?/span>

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