亚洲精品高清视频,一本岛在免费一二三区,亚洲精品区

CGH35060P2晶體管CREE

發布時間：2024-08-27 09:21:16 瀏覽：585

　　CREE CGH35060P2是一款專為高效率設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力，特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進行脈沖放大器應用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝，確保了其在特定應用中的可靠性和穩定性。

CGH35060P2晶體管CREE

　　主要特征：

　　操作頻率范圍：3.3至3.6 GHz

　　峰值功率能力：60W

　　小信號增益：12 dB

　　在8瓦輸出時的誤差向量幅度(EVM)：< 2.0%

　　在8瓦輸出時的排水效率：25%

　　應用：WiMAX固定接入(802.16-2004 OFDM)和WiMAX移動接入(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　零件編號：CGH35060P2

　　描述：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT

　　最小頻率：3100 MHz

　　最大頻率：3500 MHz

　　峰值輸出功率：60W

　　增益：12.0 dB

　　效率：60%

　　工作電壓：28V

　　封裝形式：分立晶體管，法蘭、丸

　　技術：GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)

　　CGH35060P2晶體管因其高效率和適用于高頻操作的特性，在無線通信和雷達系統等高性能應用中表現出色。其氮化鎵技術提供了優于傳統硅基晶體管的性能，特別是在高溫和高壓環境下。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHR3352-QEG 12-16GHz集成下變頻器UMS微波

最新自拍偷拍视频,在线播放精品一区二区啪视频,在线视频综合视频免费观看,亚洲狠狠色丁香婷婷综合,亚洲成人黄色网址,一区二区三区在线