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GTRB226002FC-V1 S波段高功率RF GaN

發布時間:2024-11-12 17:06:41     瀏覽:355

GTRB226002FC-V1CREE是款450瓦(P3dB)的SiCGaN高電子遷移率晶體管(HEMT),應用在多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。GTRB226002FC-V1具備高效化和無軸環的熱增強封裝形式。

GTRB226002FC-V1.png

產品規格

闡述:SiC HEMT上的高功率RF GaN 450 W48 V2110-2200 MHz

最低頻率(MHz):2110

最高頻率(MHz):2200

P3dB輸出功率(W):450

增益值(dB):15

效率(%):60

特征

典型的脈沖CW性能:10μs脈沖寬度,10%pwm占空比,2200 MHz48 VDoherty夾具效率=65%

增益值=14dB

P3dB=450W時的輸出功率

模特模型1B級(根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

低熱阻

無鉛并滿足RoHS標準

GaNSiC HEMT技術

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