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WS1A2639-V1-R3K S波段功率放大器CREE

發布時間：2024-11-14 17:26:18 瀏覽：660

WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非對稱多赫蒂功率放大器模塊（PAM），將GaN on SiC技術應用和現代化的匹配和偏置電壓網絡集成在具備高端散熱系統的多層層壓基材上。WS1A2639-V1-R3K頻率范圍在2496 MHz至2690 MHz。并且使用最高50V的電源電壓；均值輸出功率標準為6至8 W，最高值因子下降，數字預失真的LTE和5G NR數據信號，瞬時帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝中。

產品規格

闡述：38.5dBmGaN on SiC功率放大器模塊；2496-2690MHz

最低頻率（MHz）：2496

最高頻率（MHz）：2690

P3dB輸出功率（W）：50

增益值（dB）：16.5

效率（%）：57

額定電壓（V）：48

封裝類別：表面貼裝

封裝：封裝分立晶體管

技術應用：SiC上的GaN

特征

GaN基SiC技術應用

從器件兩側為主導和最高值子放大器具備柵極偏置電壓電源

集成化諧波終端

無鉛并滿足RoHS標準

推薦的驅動安裝是WSGPA01

深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件，如若需要購CREE產品，請點擊右側客服聯系我們！！！

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