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氮化鎵28V/25W射頻功率晶體管NPTB00025AB

發(fā)布時(shí)間：2018-09-20 15:52:07 瀏覽：2087

氮化鎵28V，25W射頻功率晶體管

品牌	型號(hào)	貨期	庫(kù)存
MACOM	NPTB00025AB	1周	600

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特征

針對(duì)DC - 4000MHz的寬帶操作進(jìn)行了優(yōu)化
10W P3dB CW寬帶功率，500-1000MHz
特點(diǎn)適用于高達(dá)32V的工作電壓
100％射頻測(cè)試
熱增強(qiáng)型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
受EAR99出口管制的約束
25W P3dB CW窄帶功率
無(wú)鉛

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品規(guī)格
電源電壓：28 V.
PSAT：25瓦
增益：13 dB
測(cè)試頻率：3 GHz
Theta JC：5.3 C / W.

MACOM是全球唯一一家用于射頻應(yīng)用的GaN on Si技術(shù)供應(yīng)商。我們?cè)赟i RF功率晶體管產(chǎn)品上提供廣泛的連續(xù)波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設(shè)計(jì)工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，長(zhǎng)脈沖雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng)，即使用GaN on Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿(mǎn)足客戶(hù)最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能

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