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GTRB246608FC-V1高電子遷移率晶體管

發布時間:2024-11-20 16:51:18     瀏覽:316

GTRB246608FC-V1CREE的一款500瓦(P4dB)的SiCGaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標準蜂窩狀功率放大器應用需求設計。GTRB246608FC-V1具備高效率和無軸環的熱增強封裝。

GTRB246608FC-V1.png

產品規格

闡述:高功率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz

最高頻率(MHz):2400

增益(dB):15.7

封裝類別:Earless

特征

典型脈沖CW性能,2400 MHz,48 V,10μs脈沖頻率,10%占空比,組合輸出

P4dB=600 W時的輸出功率

P4dB=60%時的效率

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