GTRB246608FC-V1高電子遷移率晶體管
發(fā)布時(shí)間:2024-11-20 16:51:18 瀏覽:532
GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦(P4dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀功率放大器應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。GTRB246608FC-V1具備高效率和無(wú)軸環(huán)的熱增強(qiáng)封裝。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:高功率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz
最高頻率(MHz):2400
增益(dB):15.7
封裝類別:Earless
特征
典型脈沖CW性能,2400 MHz,48 V,10μs脈沖頻率,10%占空比,組合輸出
P4dB=600 W時(shí)的輸出功率
P4dB=60%時(shí)的效率
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