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?第三代650 V裸片SiC MOSFET

發(fā)布時間：2025-01-03 16:57:39 瀏覽：330

行業(yè)內(nèi)超一流導通電阻和開關(guān)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)最佳性能和功率密度參數(shù)。

Wolfspeed根據(jù)第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅（SiC）技術(shù)上的主導地位。在更全面的電力系統(tǒng)中滿足體型更小、重量更輕、更高效的電力轉(zhuǎn)化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工業(yè)電源、服務(wù)器/電信網(wǎng)絡(luò)電源、新能源電動車（EV）充電裝置、儲能設(shè)備、應急電源（UPS）和電池管理系統(tǒng)等功能的最佳選擇。

特征

低溫環(huán)境的低導通電阻

低寄生電容

具備極低反向恢復的高效二極管

持續(xù)高溫操控（Tj=175°C）

優(yōu)勢

通過調(diào)整開關(guān)和傳輸損耗提高設(shè)備效率

實現(xiàn)高開關(guān)頻率操控

提高系統(tǒng)級功率密度參數(shù)

降低裝置規(guī)格；重量；和冷卻要求

典型應用

工業(yè)電源

服務(wù)器/電信網(wǎng)絡(luò)

新能源充電樁裝置

儲能設(shè)備（ESS）

應急電源（UPS）

電池管理系統(tǒng)（BMS）

CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，信用保證原裝正品。

*部分型號需申請美國出口許可。詳情了解更多型號，歡迎咨詢立維創(chuàng)展！

Product SKU	Blocking Voltage	RDS(ON) at 25°C	Current Rating	Gate Charge Total	Output Capacitance	Reverse Recovery Charge (Qrr)	Reverse Recovery Time (Trr)	Tjmax	Generation
CPM3-0650-0015A	650 V	15 mΩ	120 A	190 nC	290 pF	510 nC	22 ns	175 °C	Gen 3
CPM3-0650-0045A	650 V	45 mΩ	49 A	63 nC	100 pF	247 nC	13 ns	175 °C	Gen 3
CPM3-0650-0060A	650 V	60 mΩ	37 A	46 nC	80 pF	151 nC	11 ns	175 °C	Gen 3

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