?HMC347A-Die單刀雙擲(SPDT)
發布時間:2025-06-19 16:37:24 瀏覽:20
HMC347A-Die 是ADI生產制造的一款寬帶、非反射式、砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)單刀雙擲(SPDT)單片微波集成電路(MMIC)芯片。HMC347A-Die采用獨特的砷化鎵(GaAs)工藝技術。適合用在 0.1 GHz 至 20 GHz 的工作頻段,具有較高的隔離度和低插入損耗,尤其適合高頻率應用領域。
基本參數
工作頻率范圍:0.1 GHz 至 20 GHz
插入損耗:0.1 GHz 至 10 GHz:1.6 dB
隔離度:0.1 GHz 至 10 GHz:47 dB
輸入線性:輸入1 dB壓縮點(P1dB):29 dBm(標稱值)
功率處理效率:通過線路:27 dBm
控制電壓:-5V/0V
工作溫度范圍:-55°C 至 +85°C
封裝形式:10-Pad裸芯片
封裝與安裝需求
HMC347A選用裸片(die)形式封裝,背部金屬化處理,需要使用金錫(AuSn)共晶預制構件或導電性環氧樹脂直接貼裝到接地層。芯片直徑是0.102mm(4密耳),安裝時需重點關注以下要點:
基板選擇:建議使用0.127mm(5mil)厚氧化鋁薄膜基板上的50Ω微帶同軸電纜。
共軸處理:在使用0.254mm(10密耳)厚基板時,需將芯片提高0.150mm(6密耳)使其表面與基板共軸。
散熱考慮:需通過0.15毫米厚鉬散熱器連接芯片與接地層。
應用領域
測試設備:用作高頻噪聲的測試和測量。
微波無線通信和甚小孔徑終端(VSAT):在無線電頻率中實現切換控制。
軍工用無線通信、雷達和電子對抗(ECM):滿足軍事通信和雷達系統對高頻開關的需求。
寬帶電信系統:在寬帶通信網絡中實現信號路由和切換。
光纖產品:在光纖通信中用于切換控制和路由。
空間應用:適合用在航天器等空間設備中的高頻率切換控制。
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推薦資訊
HMC347A-Die 是 ADI 生產的寬帶、非反射式 GaAs pHEMT SPDT MMIC 芯片,采用獨特 GaAs 工藝技術,適合 0.1 GHz 至 20 GHz 頻段,具有高隔離度、低插入損耗,基本參數包括特定頻率范圍的插入損耗、隔離度、輸入線性、功率處理效率、控制電壓和工作溫度范圍等
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