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Cypress GaN HEMT – 氮化鎵晶體管

發(fā)布時間:2022-01-21 17:09:18     瀏覽:1006

與硅相比較,Cypress 氮化鎵(GaN )晶體管具備本質(zhì)的優(yōu)勢。尤其是與硅MOSFET相比較,高臨界電場促使GaN -HEMT具備優(yōu)質(zhì)的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,特別適合于高速開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。隨后,Cypress 氮化鎵晶體管可以在降低過載時間的情況下運行,以提高工作效率并完成被動冷卻。在高開關(guān)頻率下運行可以減少無源器件的容積,從而提升GaN  HEMT的安全可靠性和總功率密度。

Cypress GaN 功率晶體管最重要的特點是其反向恢復(fù)性能。由于英飛凌的Cool GaN ?晶體管沒有一些光電流和體二極管,并且它們無法顯示反向恢復(fù)。因此,可以采用圖騰極PFC等硬開關(guān)拓撲來完成更高的效率,例如在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源中,從而節(jié)約能源并降低經(jīng)營成本

英飛凌的Cool GaN ?是高效率的氮化鎵晶體管技術(shù)應(yīng)用,可在高至600V的電壓范圍內(nèi)實行功率轉(zhuǎn)換。憑著在半導(dǎo)體行業(yè)市場的豐富經(jīng)驗,英飛凌的GaN 技術(shù)應(yīng)用通過端到端大規(guī)模生產(chǎn)使e模式概念成熟。突破性的產(chǎn)品質(zhì)量保障了最高標準化,并提供了行業(yè)市場上所有的GaN HEMT中最可靠、性能最好的解決方案

Cypress.png

Cypress 采用Cool GaN ?開關(guān)電源電路具備更高的能源效率和功率密度,這是最先進的硅器件無法完成的。在200-250khz以上的高頻率運行中,開關(guān)速度是影響能源傳輸模式的關(guān)鍵。英飛凌Cool GaN ?超快的開關(guān)速度可以完成極短的過載時間。其預(yù)估使用期限超出15年,設(shè)備故障率小于1,客戶值得信賴其安全可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量。

深圳市立維創(chuàng)展科技是一家專注代理經(jīng)銷商,主要提供微波功率放大器芯片和進口電源模塊產(chǎn)品,代理品牌包含AMCOMPICOCyntecCUSTOM MMICRF-LAMBDAADIQORVOMA-COMSOUTHWEST西南微波等,立維創(chuàng)展致力為客戶提供高品質(zhì)、高質(zhì)量、價格公正的微波元器件產(chǎn)品。

目前,立維創(chuàng)展擁有Cypress品牌,現(xiàn)貨庫存

CYV15G0203TB-BGXC

CYV15G0101DXB-BBXC

CYV15G0204TRB-BGXC-BGXC

CYV15G0401DXB-BGXC

CYV15G0104TRB-BGXC

詳情了解Cypress品牌請點擊:http://www.yzgnjsb.cn/article/2126.html

 

Product

Infineon Package name

Technology

VDS max [V]

RDS (on) max [?]

QG [C]

Mounting

OPN

ID  max [A]

IDpuls max [A]

ID  @25°C max [A]

IGT40R070D1

PG-HSOF-8

CoolGaN ?

400

70

4.5

SMT

IGT40R070D1ATMA1

31

60

31

IGO60R070D1

PG-DSO-20

CoolGaN ?

600

70

5.8

SMT

IGO60R070D1AUMA2

31

60

31

IGOT60R070D1

PG-DSO-20

CoolGaN ?

600

70

5.8

SMT

IGOT60R070D1AUMA3

31

60

31

IGLD60R070D1

PG-LSON-8

CoolGaN ?

600

70

5.8

SMT

IGLD60R070D1AUMA3

15

60

15

IGT60R070D1

PG-HSOF-8

CoolGaN ?

600

70

5.8

SMT

IGT60R070D1ATMA4

31

60

31

IGLD60R190D1

PG-LSON-8

CoolGaN ?

600

190

3.2

SMT

IGLD60R190D1AUMA3

10

23

10


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