Cypress GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
發(fā)布時間:2022-01-21 17:09:18 瀏覽:1006
與硅相比較,Cypress 氮化鎵(GaN )晶體管具備本質(zhì)的優(yōu)勢。尤其是與硅MOSFET相比較,高臨界電場促使GaN -HEMT具備優(yōu)質(zhì)的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,特別適合于高速開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。隨后,Cypress 氮化鎵晶體管可以在降低過載時間的情況下運行,以提高工作效率并完成被動冷卻。在高開關(guān)頻率下運行可以減少無源器件的容積,從而提升GaN HEMT的安全可靠性和總功率密度。
Cypress GaN 功率晶體管最重要的特點是其反向恢復(fù)性能。由于英飛凌的Cool GaN ?晶體管沒有一些光電流和體二極管,并且它們無法顯示反向恢復(fù)。因此,可以采用圖騰極PFC等硬開關(guān)拓撲來完成更高的效率,例如在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源中,從而節(jié)約能源并降低經(jīng)營成本。
英飛凌的Cool GaN ?是高效率的氮化鎵晶體管技術(shù)應(yīng)用,可在高至600V的電壓范圍內(nèi)實行功率轉(zhuǎn)換。憑著在半導(dǎo)體行業(yè)市場的豐富經(jīng)驗,英飛凌的GaN 技術(shù)應(yīng)用通過端到端大規(guī)模生產(chǎn)使e模式概念成熟。突破性的產(chǎn)品質(zhì)量保障了最高標準化,并提供了行業(yè)市場上所有的GaN HEMT中最可靠、性能最好的解決方案。
Cypress 采用Cool GaN ?開關(guān)電源電路具備更高的能源效率和功率密度,這是最先進的硅器件無法完成的。在200-250khz以上的高頻率運行中,開關(guān)速度是影響能源傳輸模式的關(guān)鍵。英飛凌Cool GaN ?超快的開關(guān)速度可以完成極短的過載時間。其預(yù)估使用期限超出15年,設(shè)備故障率小于1,客戶值得信賴其安全可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量。
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Product | Infineon Package name | Technology | VDS max [V] | RDS (on) max [?] | QG [C] | Mounting | OPN | ID max [A] | IDpuls max [A] | ID @25°C max [A] |
IGT40R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ? | 400 | 70 | 4.5 | SMT | IGT40R070D1ATMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGO60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGO60R070D1AUMA2 | 31 | 60 | 31 |
IGOT60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGOT60R070D1AUMA3 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R070D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGLD60R070D1AUMA3 | 15 | 60 | 15 |
IGT60R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGT60R070D1ATMA4 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R190D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ? | 600 | 190 | 3.2 | SMT | IGLD60R190D1AUMA3 | 10 | 23 | 10 |
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AAT-15-479/1S 是美國 PULSAR Microwave 公司推出的高性能電壓控制衰減器,專為微波電路精確幅度調(diào)節(jié)設(shè)計,具備 0.5 - 2 GHz 頻率范圍、64 分貝衰減范圍、低插入損耗(最大 3.5 dB)及高功率處理能力(高達 +27 dBm)等特性,采用 SMA 連接器,工作溫度范圍 -25℃至 +80℃,在通信、測試測量、雷達系統(tǒng)中可用于精確調(diào)控信號強度、適配量程、避免接收機過載及增強回波檢測能力。