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CREE氮化鎵(GaN) HEMT CGHV1F006

發布時間：2022-06-14 16:42:55 瀏覽：1396

CREE的CGHV1F006是無可挑剔的；專為高效率制定的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和高寬帶性能。CGHV1F006可啟動為L;S;C;X 和Ku波段功率放大器使用。數據表規格根據C波段(5.5–6.5-GHz)功率放大器。其它使用電源電路可用作5.8GHz–7.2GHz的C波段和7.9–8.4GHz和8.5–9.6GHz的X波段。CGHV1F006在40V鐵路道岔上使用，封裝形式在3mmx4mm；表面貼裝; 雙扁平無導線(DFN)封裝形式。在減少額定功率下；CGHV1F006晶體管可在40V以下至20VVDD下作業；始終保持高增益和高效率。

特征

多達15GHz的操控；

8W經典輸出功率；

6.0GHz時17dB增益值；

9.0GHz時15dB增益值；

5.8–7.2GHz的使用電源電路；7.9–8.4GHz；和8.5–9.6GHz。

可使用高度APD和DPD校準；

應用

L; S; C; X 和 Ku 波段功率放大器；

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，CREE產品包含：發光二極管芯片，照明發光二極管，背光發光二極管，功率開關器件，無線電頻率設備和無線電設備的發光二極管。CREE憑借優勢的供應渠道，長期備有庫存，以滿足中國市場的需求，歡迎咨詢。

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產品 SKU	最小頻率	最大頻率	峰值輸出功率	獲得	效率	工作電壓
CGHV1F006S-AMP3	8.5GHz	9.6GHz	6W	>7 dB	NA	40 V
CGHV1F006S-AMP1	5.85 GHz	7.2GHz	6W	>7 dB	NA	40 V
CGHV1F006S	DC	15GHz	6W	>7 dB	52%	40 V

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