CGHV1J025D C波段25-W; 18.0GHz;GaN HEMT 芯片CREE
發布時間:2022-09-14 16:44:37 瀏覽:1279
Wolfspeed的CGHV1J025D是高電壓;氮化鎵在碳化硅襯底上(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);CGHV1J025D采用0.25-μm柵極尺寸的制作工藝。這種GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率;高效率的特性。CGHV1J025D特別適合在40V在高擊穿場強下作業10MHz至18GHz各種應用。
特征
17dB典型。10GHz時的小信號增益值
60%典型值。10GHz時的PAE
25W典型PSAT
40伏操控
高達18GHz的操控
應用
衛星通訊
PTP通訊鏈接
海域雷達
游艇雷達
海港船舶交通服務
寬帶放大器
高效率放大器
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J025D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 25 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |
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