CG2H80060D C波段GaN HEMT管芯CREE
發布時間:2022-10-31 16:57:57 瀏覽:1226
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能指標;CG2H80060D包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速率;及其更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80060D具備更多的功率密度參數和更寬的網絡帶寬。
特征
60W典型的PSAT
28V操控
高擊穿場強
高溫度操控
最高的8GHz操控
效率高
應用
雙重專用型收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施建設
測試設備
ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波型
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H80060D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 60 W | >12 dB | 70% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
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